Techninis bendrinimas: JMFILTEC silicio karbido plokščių lakštų membranų sistemos valdymas ir valymas

Dec 08, 2025

Palik žinutę

Silicio karbido plokščių lakštų membranų technologija priklauso povandeninio ultrafiltravimo kategorijai. Pagrindinis jo panaudojimas apima silicio karbido plokščio lakštinio membranos modulio tiesioginį panardinimą į neapdoroto vandens arba nuotekų rezervuarą, kurį reikia apdoroti. Varomas išorinės energijos (dažniausiai neigiamo slėgio, kurį užtikrina permeato siurblys arba sifonas), vanduo ir mažesnės nei membranos poras dalelės prasiskverbia pro membranos sluoksnį, o didesnės už poras dalelės sulaikomos, taip pasiekiamas kieto -skysčio atskyrimas.

 

Ultrafiltracinio valymo procesai skirstomi į fizinį ir cheminį valymą. Fizinis valymas apima atbulinio plovimo, purškimo ir vėdinimo procesus. Atbulinio plovimo metu naudojamas atvirkštinis vandens srautas (įeinantis iš membranos modulio permeatinio galo ir prasiskverbiantis per membranos poras), kad iš membranos porų būtų pašalinti giliai -sėdintys ir paviršiaus teršalai. Purškimo ir aeravimo procesuose naudojamas hidraulinis smūgis arba dujų trikdymas, padedantis pašalinti prie membranos paviršiaus prilipusias priemaišas. Cheminio valymo metu naudojamos cheminės priemonės, skirtos pašalinti koloidus, organines medžiagas, neorganines druskas ir kitus teršalus, susidariusius ant ultrafiltravimo membranos ir jos viduje, įskaitant cheminį priežiūros valymą (CEB) ir cheminį atkuriamąjį valymą (CIP).

 

01 Silicio karbido keramikos plokščių lakštų membranos sistemos veikimo režimai

 

 

Silicio karbido plokščių lakštų membranos ultrafiltravimo sistemos veikimo režimai yra tokie:

news-1540-645

Membraninio filtravimo procesas apima šiuos veiksmus:

Produkto vanduo: produkto vandens pakopa pašalina teršalus, tokius kaip metalų oksidai, suspenduotos kietosios medžiagos ir bakterijos;

Atbulinis plovimas: norint pašalinti filtro pyrago sluoksnį nuo membranos paviršiaus, reikia periodiškai plauti atgal;

Purškimas: vanduo purškiamas tiesiai ant filtro bokšto viršaus, pagerinant atgalinio plovimo ir valymo efektyvumą;

Aeracija: Oras patenka iš filtro bokšto apačios, pagerinantis atgalinio plovimo ir valymo procesą;

Cheminė cirkuliacija: pašalina nešvarumus ar apnašas iš membranos lakštų vidinės pusės;

Cheminis valymas: pašalina nešvarumus ar apnašas nuo membranos išorės.

 

02 Silicio karbido keramikos plokščių lakštų membranos sistemos veikimo procesas

 

 

1. Vandens įpurškimas ir oro išleidimas

Atidarykite viršutinį oro išleidimo vožtuvą ir įleidimo vožtuvą, kad į membranos baką patektumėte žalio vandens ir išleistumėte orą iš sistemos.

Paleidimo laikas: sistema paleidžiama pirmą kartą arba po to, kai iš silicio karbido keramikos plokščių lakštų membranos sistemos ištuštinamas skystis.

news-1548-636

2. Filtravimas

Filtruojant naudojamas siurblys, sukuriantis neigiamą slėgį (vakuumą) membranos viduje. Šis slėgio skirtumas varo vandens molekules per membraną, todėl išvalytas vanduo gali tekėti iš permeato pusės, o teršalai išlieka.

news-1542-645

3. Fizinis valymas

Fizinis valymas susideda iš dviejų etapų. Pirmajame etape naudojami atgalinio plovimo siurbliai ir aeravimo įtaisai atgaliniam plovimui ir aeracijai, siekiant pašalinti filtro pyrago sluoksnio poveikį membranos sistemos veikimui. Antrasis etapas, atliekamas prieš cheminį valymą, apima membranos bako ištuštinimą ir purškimo valymo procesą kartu su atgaliniu plovimu ir aeravimu, siekiant kruopščiai fiziškai išvalyti membranos elementus, sukuriant palankias sąlygas cheminiam valymui.

① Atbulinis plovimas ir vėdinimas

news-1543-621

② Membraninio bako ištuštinimas ir vėdinimas

news-1549-636

③ Purškimas ir atgalinis plovimas bei vėdinimas ir ištuštinimas

news-1543-638

4. Cheminis valymas

Cheminis valymas skirstomas į cheminį priežiūros valymą (CEB) ir cheminį valymą vietoje (CIP).

① Cheminis priežiūros valymas (CEB)

Cheminis priežiūros valymas (CEB) apima cheminių medžiagų įdėjimą į atgalinio plovimo vandenį, siekiant pagerinti valymo efektą.

news-1549-640

② Cheminis valymas vietoje{0}} (CIP)

Kai aukščiau nurodytais valymo metodais nepavyksta atkurti srauto arba permeato slėgis pasiekia CIP valymo vertę (-40 kPa), reikia pradėti cheminį valymą vietoje (CIP). Šis procesas apima silicio karbido plokščio lakštinio membranos modulio panardinimą į cheminę valymo priemonę, kad visiškai ištirptų ir pašalintų įsisenėjusius teršalus iš membranos paviršiaus ir porų, taip atkuriant membranos veikimą.

news-1544-629

 

03 Dažniausiai naudojamos valymo priemonės ir valomojo vandens kokybės reikalavimai, taikomi keraminėms plokščioms silicio karbido membranoms

 

 

①Dažniausiai naudojamos valymo priemonės

Šioje lentelėje pateikiamos dažniausiai naudojamos cheminės valymo priemonės:

Agento tipas

Dažniausiai naudojamas agentas

Oksidatorius

Natrio hipochloritas (NaOCl)

Šarminis agentas

Natrio hidroksidas (NaOH)

Rūgštinis agentas

Vandenilio chlorido rūgštis (HCl) / citratas

Pastaba: konkrečios medžiagos dozės gali būti koreguojamos pagal faktines vietos sąlygas.

 

② Valymo vandens kokybės reikalavimai

Valomasis vanduo, naudojamas valymo chemikalams ištirpinti, gali būti UF permeatas, grynas vanduo arba kiti santykinai švaraus vandens šaltiniai. Turi būti įvykdytos šios sąlygos:

Prekė

Parametras

Bendras kietumas

<80ppm (carbonate content)

Dažymo indeksas (SDI)

<3

Bendra organinė medžiaga

<8ppm

Geležies jonai

<0.5ppm

Silicio jonai

<5ppm

Pastaba: konkrečios operacijos ir valymo vandens kokybė gali būti koreguojama pagal faktines vietos sąlygas.

Siųsti užklausą
Susisiekite su mumisjei turi kokiu klausimu

Galite susisiekti su mumis telefonu, elektroniniu paštu arba žemiau esančia forma. Mūsų specialistas netrukus su jumis susisieks.

Susisiekite dabar!